国产128层QLC闪存已问世 武汉国家存储器基地项目二期开工

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在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

今年4月13日，长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。

按照长存的说法，这款产品的独特之处在于，它是业内首款128层QLC规格3D NAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

目前长江存储正在不断提升产能，今年底的目标将达到10万片晶圆/月的产能，这也是整个国家存储器基地一期工程的目标。

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（编辑：好传媒网）

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